晶圆激光环切设备
利用激光对键合晶圆解键合之前进行edge trim工艺，槽深切割至玻璃载板，确保切透RDL层、release胶层时对玻璃载板的损伤程度可控制，损伤深度0~20微米。
咨询电话：400 8017 001
电子邮箱：contact@uipath-dojo.com■ 设备参数：
设备能力 | |||
设备能力 | EMC开槽、Edge trim | 激光类型 | UV（Ps） |
加工材料 | EMC、Si、Pi 等 | 晶圆尺寸 | 12" |
加工能力 | 能完全切透EMC 、PI+RDL，玻璃载板的损伤程度可控制 | 晶圆厚度 | ≥200μm |
加工精度 | tolerance≤±30μm | 晶圆翘曲 | 200-1000μm，≤5mm 1000-2000μm，≤3mm |
设备附加能力 | 二流体清洗 | 上料模组 | Bare wafer Load Port*2 |
通讯方式 | SECS/GEM | ||
■ 应用领域：
设备同时具备键合晶圆解键合之前的edge trim工艺。
■ 加工效果示例图
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